碳化硅基氮化鎵外延片生產廠家AlGaN/GaN

蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產AlGaN/GaN on SiC碳化硅基氮化鎵外延片，4英寸及6英寸均可生產外延供應。我司采用高品質半絕緣碳化硅襯底晶片，襯底厚度500um。外延片指在單晶襯底上生長一層新單晶形成的產品，外延片決定器件約70%的性能，是半導體芯片的重要原材料。外延片作為半導體原材料，位于半導體產業鏈上游，是半導體制造產業的支撐性行業。外延片制造商在襯底材料上通過CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）設備、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）設備等進行晶體外延生長、制成外延片。

第三代半導體材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體。一二代半導體材料工藝已經逐漸接近物理極限，在微電子領域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。相比于一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。